Skirtumas tarp purškiančios dangos ir vakuuminės dangos stiklo įmonėje

Skirtingai nuo vakuuminio išgarinimo, purškimas yra didelės energijos jonų panaudojimas susidūrimui su tiksline medžiaga, todėl atomų, molekulių, jonų susidarymas išskrenda ir taip susidaro plėvelė ant pagrindo.

Šis įrankių apdirbimo būdas yra dažniausiai naudojamas mūsų stiklinių butelių gamykloje gamybos populiarinimui ir industrializavimui. Purškimo reiškinį aptinka A1 grovas, esantis ant katodo išlydžio vamzdžio paviršiuje.

Didelės energijos jonai (arba neutralūs jonai) ir tikslinės medžiagos sukuria elastingą susidūrimą, tikslinis jonų paviršius sugeria šį impulsą, o vėliau susidūrus su aplinkiniais jonais, nupjaunami tikslinio paviršiaus atomai, susieti su ryšiu tarp atomo paviršius išskrenda, todėl purškiasi.

Visų rūšių dulkinimo sukeliami efektai yra veiksmingi du kartus didesnei elektronų emisijai, stiklo katodo (taikinio) purškimui, dujų analitiniam skaidymui, katodo įkaitinimui, kiemo išplitimui makete, grotelių keitimui ir jonų implantavimui. Palyginti su krintančių teigiamų dalelių skaičiumi, R tampa stiklinio butelio dviejų elektronų emisijos koeficientu, o jo vertę įtakoja tikslinės medžiagos savybės, teigiama jonų masė, jonizacijos potencialas ir judviejų impulsų dydis. elektronų.

Kai teigiama dalelių energija pasiekia nuo dešimčių iki šimtų elektronų voltų, stiklo įmonėje R reikšmė yra keli 1% kelios dešimtosios.

Kai teigiamas jonas susiduria su taikiniu, jis įkaista ir 75% jo energijos paverčiama šiluma, todėl tikslinę medžiagą reikia atvėsinti, kad taikinys galėtų suskaidyti ar net ištirpti. Apskritai, vakuuminių garų energija iš garavimo šaltinio, kad išskristų iš atomo stiklo gamykloje, yra 0,1 ev, tikslinėje medžiagoje atominės energijos purslai nei vakuuminio garavimo šaltinio išskristi. atominės energijos iki didelės 1–2 eilės, maždaug 5–10 ev, kiekvienas laiko vienetas turi purškimo greičio r,r reikšmę, o krintančiojo teigiamo jonų tankio ir purškimo koeficiento vertė yra proporcinga gaminiui.